САМОДЕЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА В БЫТУ




Приложение - часть 6


A, D, U — 0°С... + 70°С;

B, Е, W — 25°С...+85°С;

C, F, Z — 55°С...+ 125°С.

Как правило, в бытовой, радиолюбительской аппаратуре находят применения ин­тегральные микросхемы широкого применения, то есть имеющие первой буквой A, D, U. .

Например, интегральные микросхемы D100 представляют собой стандартные приборы широкого применения ТТЛ. Интегральные микросхемы А109 — диффе­ренциальный усилитель и т. д.

Буквенное окончание условного обозначения интегральных микросхем произ­водства ГДР указывает тип корпуса в соответствии со следующими признаками:

В — металло-стеклянный корпус (то есть корпус металлический, а выводы изолируются от корпуса стеклянными вставками);

С — керамический плоский корпус с выводами, расположенными линейно, в два ряда;

D — пластмассовый корпус с выводами, расположенными линейно, в два ряда;

Е — плоский корпус квадратной формы;

F — плоский корпус;

К — корпус с дополнительным теплоотводом.

Например, линейная интегральная микросхема А210К представляет собой усилитель мощности низкой частоты (до 5 Вт), корпус которой снабжен допол­нительным теплоотводом.

Интегральные микросхемы производства фирмы «Tesla» (ЧССР) и «Тексас инструменте» (США) имеют во многом одинаковые цифровые индексы, но раз­личные буквенные префиксы (приставки) — SN для США и МН — для ЧССР. При подборе замены для интегральных микросхем следует иметь в виду, что для большинства цифровых приборов иностранного производства можно найти полностью эквивалентную замену среди отечественных микросхем серий КОЗ, К155, К176 и ряда других. Примерно такое же положение для значительной части аналоговых микросхем, представляющих собой дифференциальные (операционные) усилители. Здесь применимы серии К140, К153, К553 и другие. Но для линей­ных интегральных микросхем, являющихся усилителями напряжения и мощности низкой частоты, промежуточной и высокой частоты, — аналогов нет. Можно подобрать близкую замену, но, как правило, с иным размещением выводов или другой конструкцией корпуса.

Рис. П1. Прин­ципиальная схема УНЧ на микросхеме К174УН4Б

Рис. П2. Принципиальная схема УНЧ на микросхеме К174УН5Б

Рис. ПЗ. Принципиальная схема УНЧ на микросхеме К174УН7Б

Рис. П4. Конструкция и расположение выводов для микросхем серии К174




Содержание  Назад  Вперед