и их замена приборами производства

Полупроводниковые приборы ГДР и их замена приборами производства СССР Система условных обозначений полупроводниковых приборов ГДР
Согласно действующей в ГДР системе условных обозначений все полупро­водниковые приборы — транзисторы, диоды и тиристоры, а также терморезисторы и фоторезисторы имеют основное пятизначное буквенно-цифровое обозначение. Первых два или три буквенных знака означают исходный материал полупроводни­кового материала, тип и назначение прибора, а также область применения. Сле­дующие две или три цифры указывают порядковый регистрационный номер при­бора. При этом характерной особенностью данной системы является то, что все приборы, предназначенные для использования только в бытовой аппаратуре (ра­диовещательные приемники, магнитофоны, электрофоны и т. п), имеют двух-буквенное обозначение и три цифры. Приборы, предназначенные для использования в промышленной или специальной аппаратуре, — трехбуквенные и две цифры. Причем третья буква обязательно относится к последним буквам латинского алфа­вита — х, у, z, w... Следующие за цифрами другие буквы и цифры указывают разновидности основного прибора или отличительные особенности его корпуса, подбора парных приборов и т. п.
Основными полупроводниковыми материалами, используемыми для из­готовления транзисторов широкого применения, являются германий и кремний. Для их обозначения используются первые буквы названий этих материалов:
G — германий,
S — кремний (силициум),
V — арсенид галлия.
Вторая буква обозначает тип и основное назначение прибора в соответствии со следующим перечислением:
А — детекторный быстродействующий или смесительный диод;
В — варикап;
С — транзистор низкочастотный или универсальный малой мощности;
D — транзистор низкочастотный большой мощности;
Е — туннельный диод;
F — транзистор высокочастотный малой мощности;
G — сложные транзисторы (несколько приборов в одном корпусе);
Н — измеритель напряженности магнитного поля;
К — датчик эффекта Холла;




L — транзистор высокочастотный большой мощности;
М — модулятор и умножитель на эффекте Холла;
Р — светочувствительный прибор (фотодиод или фототранзистор);
Q — излучающий прибор (светодиод);
R — прибор, работающий в области пробоя;
S — транзистор высокочастотный, переключающий малой мощности;
Т — тиристор;
X — умножительный диод;
Y — диод выпрямительный большой мощности;
Z — стабилитрон.
Для стабилитронов дополнительный суффикс указывает возможный разброс стабилизированного напряжения относительно номинального значения и само номинальное значение. Первая буква указывает максимальную величину разброса в соответствии с последовательностью:
А — 1%, В — 2%, С — 5%, D — 10%. E — 15%. Далее цифрами указы­вается номинальное напряжение в вольтах, причем запятая, отделяющая целую часть от дробной, может обозначаться буквой V.
Рассмотрим на нескольких примерах возможные варианты условных обо­значений диодов, транзисторов и стабилитронов, упомянутых на страницах книги.
GC301 — германиевый низкочастотный транзистор малой мощности.
GF136 — германиевый высокочастотный транзистор малой мощности.
ВС177 — кремниевый низкочастотный транзистор малой мощности.
SS216 — кремниевый высокочастотный переключающий транзистор малой мощности.
GD160 — германиевый низкочастотный транзистор большой мощности.
BSX34 — кремниевый высокочастотный переключающий транзистор малой мощности, предназначенный для промышленных целей.
SAY30 — кремниевый детекторный диод, предназначенный для промыш­ленных целей.
YQA12 — светоизлучающий диод на основе арсенида галлия, предназна­ченный для промышленных целей.
SZY21 /68 — кремниевый стабилитрон с номинальным напряжением стаби­лизации 6,8 В с неконтролируемым разбросом, допускает ток до 21 мА.
SZ600/6.2 — кремниевый стабилитрон с номинальным напряжением стаби­лизации 6,2 В с неконтролируемым разбросом, допускает ток до 600 мА.
ST103/4 — кремниевый тиристор.
Таблица П1
Взаимно заменяемые транзисторы иностранные и СССР

Группа транзисторов	ГДР и дру­гих стран	СССР
Германиевые р-n- р низкой частоты малой мощности	GC101	ГТ109А
GC116	МГТ108Д, МП41А
GC301	ГТ115А, МП42Б
Германиевые р-n-р высокой частоты малой мощности	GF136	ГТ308Б, ГТ313А,
	П416Б, П403, П423
Германиевые р-n-р средней и низкой час­тоты средней и большой мощности	GC121	МП20А, МП21Б
АС 128	ГТ402И, ГТ404Г
GDI 60	ГТ703Б, П213Б
Кремниевые р-n-р низкой частоты малой мощности	BC117D	КТ349Б, КТ315Г
ВС177	КТ326, КТ349В
Кремниевые n-р-n низкой частоты малой мощности	SC206	КТ375А, КТ358В, КТ315Г
Кремниевые р-n-р высокой частоты малой мощности	KF517	КТ350, КТ351, КТ361
Кремниевые n-р-n высокой частоты малой мощности	SF126	КТ617А, КТ603А
SF127	КТ358Б
SF136	КТ342А ... Г
SF137	КТ342Б
SF215	КТ375Б, КТ373А
Кремниевые n-р-n высокой частоты пере­ключающие малой мощности	SS216C	КТ375Б
BSX34	КТ602Б
Кремниевые n-р-n средней и высокой час­тоты средней и большой мощности	KU605	КТ805АМ, КТ805БМ
KU606	КТ908А, КТ908Б
К U 607	КТ808А, КТ803А
Кремниевые полевые с n-каналом и изо­лированным индуцированным затвором	SMY50	КП305А, КП305Б

Следует иметь в виду, что в ГДР находят применение полупроводнико­вые приборы, производимые в других странах, например, в СССР, Польше, Бол­гарии, Венгрии, а также ФРГ, Франции и ряде других стран Европы. Во всех перечисленных странах, кроме СССР и Болгарии, действует система условных обозначений, аналогичная принятой в ГДР, отличие лишь в первых буквах. На­пример, в Чехословакии кремниевые приборы имеют первой буквой К, а не S. В Венгрии, Польше, ФРГ и других странах материал прибора обозначается сле­дующими буквами:
А — германий,
В — кремний,
С — арсенид галлия,
D — антимонид индия.
Примерами транзисторов производства других стран могут являться:


ВС177 — кремниевый низкочастотный транзистор малой мощности;
KF517 — кремниевый высокочастотный транзистор малой мощности;
KU605 — кремниевый высокочастотный транзистор большой мощности (в ЧССР транзисторы этой группы имеют второй буквой U, а не L).
Системы условных обозначений полупроводниковых приборов, принятые во всех странах, кроме Японии, не позволяют определить по условному обозна­чению структуру транзистора как полевого, так и биполярного, что затрудняет подбор эквивалентной замены приборов производства одной страны на другую. Для такого подбора требуется использовать справочники различных стран, что не всегда возможно. Поэтому ниже дается справочная таблица заменяемости тран­зисторов, упомянутых на страницах книги, табл. П1. Таблица П2
Взаимно заменяемые диоды, светоизлучающие и фотоприемные полупроводнико­вые приборы ГДР и СССР

Группы приборов	ГДР	СССР
Кремниевые выпрямительные силовые диоды	SAY12	Д226, Д229
Кремниевые быстродействующие детекторные ДИОДЫ	SAY 30	Д220, КД501, КД503
Германиевые быстродействующие детекторные ДИОДЫ	GA100	Д18, Д20
Светоизлучающие диоды на основе соединений арсенида галлия	VQA13 VQA23 VQA33	АЛ102 (краен.) АЛ106 (зел.) АЛ103 (желт.)
Кремниевый фотодиод	SP101	ФД-2, ФД-9
Кремниевый фототранзистор	SP201	ФТ-1

Как видно из данных табл. П1, каждый тип транзисторов ГДР может быть заменен несколькими типами транзисторов СССР. Главным при этом необходимо соблюдать признак однотипности групп, к которым относятся транзисторы. При этом следует учитывать, что высокочастотные транзисторы малой мощности, пред­назначенные для усиления сигналов и переключения токов (SF и SS соответствен­но), различаются между собой только величиной напряжения насыщения пол­ностью открытого транзистора, что позволяет в большинстве случаев любитель­ской практики заменять их друг другом. Это хорошо просматривается в таблице взаимнозаменяемости.


Конечно, замена транзисторов одного типа транзисторами других типов будет эквивалентной, если те и другие транзисторы имеют примерно одинаковые пара­метры не только на высокой частоте, что достичь относительно просто, но и характеристики постоянного тока, главным образом примерным равенством коэф­фициентов передачи тока базы при включении по схеме с общим эмиттером, h21э. Анализ статических характеристик транзисторов ГДР показывает, что это условие вполне выполнимо, если применяемые транзисторы имеют h21э= 40...50 и более.
В тех случаях, когда нет возможности применить транзисторы, указанные в табл. П1, то необходимо по одному из отечественных справочников по полу­проводниковым приборам в указанной группе транзисторов найти транзисторы, по своим параметрам близкие к тем, которые указаны в правой колонке табл. П1.
При выборе возможной замены диодов (силовых, детекторных, светоизлу-чающих), а также фотодиодов и фототранзисторов можно воспользоваться дан­ными табл. П2, составленной аналогично табл. Ш.
Система условных обозначений интегральных микросхем ГДР
В конструкциях, описанных на страницах данной книги, в основном исполь­зуются интегральные микросхемы производства ГДР и СССР, но в ряде случаев — ЧССР и США. Условное обозначение интегральных микросхем содержит трех­значное число, указывающее регистрационный номер, а также однобуквенные преффикс и суффикс, или другими словами — буквенные приставку и окончание. Причем первая буква указывает основное применение и структуру применя­емых в схеме транзисторов в соответствии со следующими признаками:
А, В, С — линейные (усилительные) интегральные микросхемы, выполненные на кремниевых биполярных транзисторах;
D, Е, F — цифровые (логические) интегральные микросхемы, выполненные на биполярных кремниевых транзисторах;
U, W, Z — интегральные микросхемы, выполненные на кремниевых полевых транзисторах.
В свою очередь первые буквы указывают также допустимый диапазон ра­бочей температуры корпуса интегральных микросхем:


A, D, U — 0°С... + 70°С;
B, Е, W — 25°С...+85°С;
C, F, Z — 55°С...+ 125°С.
Как правило, в бытовой, радиолюбительской аппаратуре находят применения ин­тегральные микросхемы широкого применения, то есть имеющие первой буквой A, D, U. .
Например, интегральные микросхемы D100 представляют собой стандартные приборы широкого применения ТТЛ. Интегральные микросхемы А109 — диффе­ренциальный усилитель и т. д.
Буквенное окончание условного обозначения интегральных микросхем произ­водства ГДР указывает тип корпуса в соответствии со следующими признаками:
В — металло-стеклянный корпус (то есть корпус металлический, а выводы изолируются от корпуса стеклянными вставками);
С — керамический плоский корпус с выводами, расположенными линейно, в два ряда;
D — пластмассовый корпус с выводами, расположенными линейно, в два ряда;
Е — плоский корпус квадратной формы;
F — плоский корпус;
К — корпус с дополнительным теплоотводом.
Например, линейная интегральная микросхема А210К представляет собой усилитель мощности низкой частоты (до 5 Вт), корпус которой снабжен допол­нительным теплоотводом.
Интегральные микросхемы производства фирмы «Tesla» (ЧССР) и «Тексас инструменте» (США) имеют во многом одинаковые цифровые индексы, но раз­личные буквенные префиксы (приставки) — SN для США и МН — для ЧССР. При подборе замены для интегральных микросхем следует иметь в виду, что для большинства цифровых приборов иностранного производства можно найти полностью эквивалентную замену среди отечественных микросхем серий КОЗ, К155, К176 и ряда других. Примерно такое же положение для значительной части аналоговых микросхем, представляющих собой дифференциальные (операционные) усилители. Здесь применимы серии К140, К153, К553 и другие. Но для линей­ных интегральных микросхем, являющихся усилителями напряжения и мощности низкой частоты, промежуточной и высокой частоты, — аналогов нет. Можно подобрать близкую замену, но, как правило, с иным размещением выводов или другой конструкцией корпуса.

Рис. П1. Прин­ципиальная схема УНЧ на микросхеме К174УН4Б

Рис. П2. Принципиальная схема УНЧ на микросхеме К174УН5Б

Рис. ПЗ. Принципиальная схема УНЧ на микросхеме К174УН7Б

Рис. П4. Конструкция и расположение выводов для микросхем серии К174

Содержание раздела

---

---