САМОДЕЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА В БЫТУ




Таблица ПЗ Взаимно заменяемые интегральные микросхемы ГДР, СССР, ЧССР и США


ГДР

США

ЧССР

СССР

А109

 

 

К153УД7

А210К

 

 

 — К174УН7Б

А211

 

 

~К174УН4А

 —

 

MDA2020

 — К174УН9Б

R301

цА701

701

К553УД1

R109

цА741

741

К140УД7

 —

CD401 1

 

1/2 К176ЛА7

D100

SN7400

МН7400

К155ЛАЗ

D110

SN7410

МН7410

К155ЛА4

D120

SN7420

МН7420

К155ЛА1

D192C

SN74192

МН74192

К155ИЕ6

Р192С

SN74H192

МН74Н192

К133ИЕ6

Р200

SN74HOO

МН74НОО

К133ЛАЗ

Р210

SN74H10

МН74Н10

К133ЛА4

 —

7473

7473

К155

 —

7490

7490

К155ИЕ2

 

74121

74121

К155АГ1

В связи с тем что в данной книге описано большое число конструкций, в которых широко используются линейные интегральные микросхемы, выполняющие роль усилителей мощности низкой частоты, то было принято целе­сообразным ознакомить читателя с конструкцией и схемами включения интеграль­ных микросхем советского производства, решающих задачи усиления мощности низкой частоты. За основу были взяты наиболее распространенные интеграль­ные микросхемы серии К174, обеспечивающие выходную мощность до 0,8 Вт (К174УН4), до 2 Вт (К174УН5), до 4 Вт (К174УН7). Принципиальные схемы уси­лителей мощности низкой частоты с использованием отечественных микросхем приведены на рис. П1, П2, ПЗ. Конструкция и расположение выводов для микросхем серии К174 показаны на рис. П4, а, б. При повторении конст­рукции этих усилителей можно использовать постоянные резисторы типа МЛТ или ВС и электролитические конденсаторы типа К50-6.

В табл. ПЗ приведены варианты взаимной заменяемости интегральных микросхем производства ГДР, СССР, ЧССР и США, упоминаемых в тексте книги с учетом сказанных выше замечаний. В эту таблицу не вошли те типы интеграль­ных микросхем, которые имеют отдаленные и приближенные замены среди оте­чественных приборов, о чем сказано в примечаниях по тексту книги. К таким интегральным микросхемам относятся С104, С190, С209 и др.




Содержание  Назад