ПЗ Взаимно заменяемые интегральные микросхемы ГДР, СССР, ЧССР и США
| ГДР | США | ЧССР | СССР |
| А109 | К153УД7 | ||
| А210К | — К174УН7Б | ||
| А211 | ~К174УН4А | ||
| — | MDA2020 | — К174УН9Б | |
| R301 | цА701 | 701 | К553УД1 |
| R109 | цА741 | 741 | К140УД7 |
| — | CD401 1 | 1/2 К176ЛА7 | |
| D100 | SN7400 | МН7400 | К155ЛАЗ |
| D110 | SN7410 | МН7410 | К155ЛА4 |
| D120 | SN7420 | МН7420 | К155ЛА1 |
| D192C | SN74192 | МН74192 | К155ИЕ6 |
| Р192С | SN74H192 | МН74Н192 | К133ИЕ6 |
| Р200 | SN74HOO | МН74НОО | К133ЛАЗ |
| Р210 | SN74H10 | МН74Н10 | К133ЛА4 |
| — | 7473 | 7473 | К155 |
| — | 7490 | 7490 | К155ИЕ2 |
| 74121 | 74121 | К155АГ1 |
В связи с тем что в данной книге описано большое число конструкций, в которых широко используются линейные интегральные микросхемы, выполняющие роль усилителей мощности низкой частоты, то было принято целесообразным ознакомить читателя с конструкцией и схемами включения интегральных микросхем советского производства, решающих задачи усиления мощности низкой частоты. За основу были взяты наиболее распространенные интегральные микросхемы серии К174, обеспечивающие выходную мощность до 0,8 Вт (К174УН4), до 2 Вт (К174УН5), до 4 Вт (К174УН7). Принципиальные схемы усилителей мощности низкой частоты с использованием отечественных микросхем приведены на рис. П1, П2, ПЗ. Конструкция и расположение выводов для микросхем серии К174 показаны на рис. П4, а, б. При повторении конструкции этих усилителей можно использовать постоянные резисторы типа МЛТ или ВС и электролитические конденсаторы типа К50-6.
В табл. ПЗ приведены варианты взаимной заменяемости интегральных микросхем производства ГДР, СССР, ЧССР и США, упоминаемых в тексте книги с учетом сказанных выше замечаний. В эту таблицу не вошли те типы интегральных микросхем, которые имеют отдаленные и приближенные замены среди отечественных приборов, о чем сказано в примечаниях по тексту книги. К таким интегральным микросхемам относятся С104, С190, С209 и др.
