Улучшение характеристик фотодиодов.
Уменьшив степень легирования слоя N-типа, можно увеличить ширину слоя объемного заряда при том же рабочем напряжении. В пределе мы получаем беспримесный материал с собственной проводимостью (обозначаемый буквой /), к которому добавляется слой материала N-типа с малым удельным сопротивлением для обеспечения омического контакта. Такова структура PIN, обеспечивающая квантовый выход, близкий к единице, и очень высокую чувствительность.
Можно также повысить напряжение на фотодиоде до уровня, при котором возможно лавинное усиление. Тогда ширина обедненного слоя будет определяться внешним напряжением и удельным сопротивлением материала (при постоянном напряжении величина е пропорциональна корню квадратному из удельного сопротивления материала). Кроме того, чем больше ширина обедненного слоя, тем меньше емкость р — n перехода и тем меньше постоянная времени фотодиода.
Основные характеристики фотодиодов 2.
