Схемотехника радиоприемников. Практическое пособие


Глава 3. Модульная 50-омная схемотехника - часть 4


Выбираемые диоды должны обеспечивать стабильный прямой ток величиной около 10 мА при эквивалентных, т.е. отличающихся друг от друга не более чем на 5% значениях прямого напряжения, приложенного к каждому квадранту; в случае смесителей очень высокого уровня все это должно выполняться с учетом последовательно подключаемых сопротивлений Rr. Следует также обеспечить идентичность конструктивного выполнения обмоток трансформаторов.

3. Трансформаторы и элементы квадрантов нужно располагать на монтажной плате строго симметрично и соединять их одинаковыми проводниками минимальной длины. Эффективную симметрию смесителя (чем она выше, тем больше величина Ах) можно улучшить не только с помощью конденсатора Сn; в некоторых случаях можно получить положительный эффект, меняя местами работающие в противофазе обмотки одного из двух трансформаторов (любого); обратите внимание на полярность подключения обмоток!.

4. В отношении согласования импедансов главное внимание нужно уделить fх-порту; в силу своих частотных характеристик fh- и fх-цепи взаимозаменяемы.

5. К порту, с которого снимается сигнал ПЧ, следует подключать полосовой фильтр-диплексер (например, такой, как на рис. 3.5). Он используется в качестве нагрузки с однородным в широкой полосе частот импедансом и уменьшает на 3 дБ мощность сигнала, поступающую на следующий за ним каскад, за счет отфильтровывания ненужной fz компоненты (SSB).

6. Сигнал гетеродина следует подавать в смеситель после предварительного усиления в широкополосном линейном усилителе мощности; элементы селекции сигнала в этом буферном устройстве, естественно, отсутствуют. Значение параметра Ах для fu-фильтра должно быть не менее 10 дБ.

3.2. Широкополосные усилители с ООС

При реализации этих устройств предпочтение отдается схемам на основе мощных малошумящих биполярных СВЧ-транзисторов относительно небольшой стоимости. Высокое значение граничной частоты усиления по току fT » 4.. .4 ГГц у таких транзисторов позволяет создавать на них устройства с верхней рабочей частотой > 1 ГГц и шириной рабочего диапазона частот до десяти октав.




Начало  Назад  Вперед