Схемотехника радиоприемников. Практическое пособие


Глава 3. Модульная 50-омная схемотехника - часть 5


Структура вводимой ООС зависит от назначения усилителя. В тех случаях, когда нужно обеспечить высокую пороговую чувствительность и оптимальную помехоустойчивость, в качестве элементов обратной связи используются не создающие шумов реактивные сопротивления (Х-структура). Если же единственным требованием является достижение максимальной неискаженной выходной мощности, можно применить более простые схемы с активными сопротивлениями в петле обратной связи (R-структура). Такие усилители при относительно небольших значениях тока коллектора 1С ? 60 мА позволяют получить IPi3 = + 40 дБм и + 20 дБм для Х- и R-структур соответственно, причем значения KPi в обоих случаях практически одинаковы и не превышают +10 дБм. Коэффициент усиления мощности GP может достигать 9 дБ и 20 дБ соответственно. Минимальное значение коэффициента шума F для оптимальных по этому параметру схем с ООС Х-типа составляет около 1,8 дБ, для схем с ООС R-типа F > 3 дБ; эти значения в принципе можно обеспечить в диапазоне частот до 150 МГц.

Помимо рассеиваемой мощности и уровня интермодуляционных искажений двумя другими важными параметрами, определяющими выбор транзисторов для рассматриваемых усилителей, являются граничная частота fT и динамический коэффициент усиления тока базы b 0 (на частоте 1 кГц). Верхнюю рабочую частоту усилителя fмakс (на уровне-1 дБ от GP) можно оценить с помощью соотношения fмакс » 10(fT/p0). Расчеты с IС = 10.. .60 мА, учитывающие названные факторы, показывают, что можно использовать такие транзисторы, как, например, BFT 66, BFT 97 и MRF 904 при IС < 20 мА, а также BFR 96(S), MRF 961 и MRF 965 при Ic ? 60 мА. Перечисленные транзисторы в своих классах мощности считаются к тому же самыми малошумящими.

Сначала рассмотрим усилитель с ООС Х-типа, его принципиальная электрическая схема представлена на рис. 3.6. 

Подобные структуры используют, в частности, в качестве каскадов предварительного усиления ВЧ и ПЧ в широкополосных трактах приемников с высокой чувствительностью и высокой перегрузочной способностью.


Начало  Назад  Вперед