КВ приемник мирового уровня – это очень просто


ГЛАВА 13 Биполярные транзисторы - часть 10


Ну и, кроме того, наличием паразитных емкостей.

“С”: Абсолютно верно! Я бы только сказал, что технологические параметры определяют высокочастотные свойства транзисторов В ПЕРВУЮ ОЧЕРЕДЬ! Полезно и даже необходимо принять во внимание еще несколько параметров. Например, fb . fb .— это частота, при которой коэффициент усиления транзистора по току уменьшается на 3 дБ. Наряду с fb . используется и частота fт Это такая частота, при которой коэффициент усиления по току Р = 1. Они связаны следующим соотношением:

fт = b fb

Употребляется еще и такой параметр, как f s — граничная частота крутизны транзистора:

fs = 10 fb .

Отмечают также и максимальную частоту генерации fmax, которая, примерно, вдвое выше, чем fт

“А”: А что такое частота fa?

“С”: Достаточно запомнить, что fa = fт! fa — это граничная частота усиления в схеме с ОБ, а fb — граничная частота усиления в схеме с ОЭ.

“А”: Так вот почему в разработках прежних лет так широко использовались схемы высокочастотных каскадов, использующих конфигурацию с общей базой!

“С”: Да, пока не появились современные высокочастотные транзисторы, у которых fт. достигает нескольких ГИГАГЕРЦ, что дает возможность использовать преимущества схем с ОЭ в диапазоне частот до нескольких сотен мегагерц!

“А”: Часто приходится встречать упоминание о так называемом ЭФФЕКТЕ МИЛЛЕРА. Что это такое?

“С”: Дело в том, что в реальных схемах образуются паразитные емкости: С1 — монтажа и подводящих цепей; С2 — емкость эмиттер—база; СЗ — емкость коллектор—база и С4 — емкость коллектор—эмиттер. Все это приводит к появлению емкости, называемой ДЕЙСТВУЮЩЕЙ ВХОДНОЙ ЕМКОСТЬЮ схемы Cs

Cs = Cl + С2 + |А|СЗ.

Здесь А —.коэффициент усиления схемы по напряжению.

Такое увеличение емкости перехода коллектор—база называется эффектом Миллера. Для схемы с ОЭ можно записать:

Cs @ |А|СЗ.

“А”: Жизнь бьет ключом и все по голове! Непросто применять схемы с ОЭ в высокочастотной схемотехнике, как я погляжу!

“С”: Весьма непросто! Но преимущества ОЭ так велики, что разработан целый ряд транзисторов, у которых удалось существенно понизить емкость




Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин