КВ приемник мирового уровня – это очень просто


ГЛАВА 13 Биполярные транзисторы - часть 9


S = D 1к/D Uб_э при UK_3 = const.

“А”: А теперь можем перейти к рассмотрению ПЕРЕДАТОЧНОЙ (переходной) ХАРАКТЕРИСТИКИ?

“С”: Вполне! Это очень наглядная характеристика, показывающая зависимость коллекторного тока от напряжения база—эмиттер. Но запомним, что при ФИКСИРОВАННОМ UK_3! Поскольку, если UK_3 варьируется, то в таком случае имеем СЕМЕЙСТВО переходных характеристик!

“Н”: Ну, а для чего тогда необходима ВХОДНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА?

“С”: Для чувства комфорта, дорогой Незнайкин! В некоторых случаях удобно знать зависимость U6_3 от базового тока 16. И, кроме того, при профессиональных расчетах параметров и режимов электронных узлов. Также для описания входной цепи транзистора как нагрузки, соединенной с входным источником напряжения, скажем...

При этом вводят такое понятие, как ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ ВХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ:

R (rбэ = D Uб-э/ D Iб При Uк-э = const

И, наконец, мы говорили, что В = Iк /Iб . Помните?

“А”: Да, но мы говорили не о В, а о b , насколько я помню?

“С”: А я именно потому и вернулся к этому вопросу! Повторение — мать учения! Итак, запишем:

b = D Iк/D 16; В = I к /Iб — коэффициент статического усиления по току.

“Н”: А что, между ними есть разница?

“С”: Да как не быть? Вот типовая зависимость коэффициентов статического и динамического усиления по току от величины коллекторного тока для маломощного транзистора (см. рис. 13.9).

Кстати, уточним на всякий случай, что:

b = D Iк/D 16 | при U к-э = const!

“Н”: Ну, наконец, мы кое-что знаем о транзисторе!

“С”: Ты уверен? Информация к размышлению: полное количество параметров транзистора превышает СЕМЬСОТ!

“А”: Я не думал, что так много! Но ведь в практической схемотехнике применяется много меньше?

“С”: Немногим более двух десятков!... Но, друзья мои, пора переходить к ВЫСОКОЧАСТОТНЫМ параметрам транзистора!

“А”: Насколько я знаю, существует частотная зависимость коэффициента усиления по току для реальных транзисторов. И она определяется не в последнюю очередь их технологическими параметрами. Такими, как толщина базы, площади р—n-переходов и все такое прочее.


Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин