КВ приемник мирового уровня – это очень просто


ГЛАВА 14 Полевые (униполярные) транзисторы - часть 2


У МОП-транзисторов (MOSFET) они меньше ещё натри порядка! Таким образом, полевые транзисторы характеризуются колоссальными величинами входных сопротивлений. Оно у них выше, чем у ПУЛов (приемно — усилительных ламп).

“А”: А какова физика работы, например JFET (полевого транзистора с управляющим р—п-переходом)?

“С”: JFET имеет управляющий канал проводимости в объеме полу проводника. Рассмотрим действие прибора, упрощенная конструкция которого показана на приведенном рис. 14.2. Данный прибор изготовлен из кремния, имеющего собственную проводимость n-типа (то есть донорную, с избытком электронов). На верхней и нижней плоскостях сформированы р—n-переходы, путем формировании в кремнии n-типа, областей р-типа (то есть акцепторных, с повышенной концентрацией дырок). Если к затвору относительно истока прикладывается отрицательное напряжение (см. рис. 14.2), то вблизи р+ областей образуются зоны, обедненные электронами (зона Б). Толщина зоны зависит от величины абсолютного значения напряжения Uзи. При приближении этого напряжения к нулю толщина обедненного слоя уменьшается. Та часть структуры, которую не достигли обедненные слои (зоны) называется КАНАЛОМ, из-за чего полевые транзисторы называются также — КАНАЛЬНЫМИ

“А”: Кстати, проводимость канала определяется ОСНОВНЫМИ НОСИТЕЛЯМИ, то есть в данном случае мы можем говорить, что имеем дело с n-канальным прибором, проводимость которого определяется электронами.

“С”: Совершенно верно! Но имеются в виду и р-канальные приборы, проводимость которых имеет сугубо дырочный характер!

“Н”: А что в этом случае изменяется?

“А”: Прежде всего полярность подключения питания изменяется на противоположную! Естественно, меняется и производственная технология!

“С”: Всё так! Но обратимся снова к нашему рисунку! Как вы думаете, что произойдет, если напряжение Uзи будет возрастать?

“А”: Я полагаю, что наступит момент, когда обедненные слои Б1 и Б2 соприкоснутся!

“С”: Правильно, это и будет означать, что канал полевого транзистора окажется перекрытым, проводимость прибора станет очень малой или, что то же самое, сопротивление промежутка ИСТОК — СТОК значительно возрастет!




Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин